隨著國內外LED行業向高效率、高密度、大功率等方向發展，從2016到2019就能看出，整體國內LED有了快速發展，如今功率也是越來越大，在開發性能優越的散熱材料已經成為LED散熱問題的解決，也是當務之急。為了使LED結溫保持著較低溫度下，然而必須采用高導熱率、低熱阻的散熱基板材料和合理的封裝工藝，從而以降低LED總體的封裝熱阻。

如今現代通訊技術的發展，在多層陶瓷基板上憑借著其靈活布線、三維集成等優勢廣泛應用于航空航天、衛星通訊等射頻領域。為了實現電子整機向高密度，小型化，輕量化的方向發展，現在越來越多的電路組件使用多層陶瓷基板一體化封裝技術來實現模塊化和器件化。

研究AIN多層陶瓷基板一體化封裝技術，AIN多層陶瓷相比較于低溫共燒陶瓷和AI2O3共燒陶瓷來講，其中導熱系數高，熱膨脹系數和Si更接近。

在伴隨著電子設備的集成度大幅提高，電路中單位面積所散發出來的熱量不斷增大，系數對散熱要求也越來越高。

AIN一體化封裝工藝結構

1、AlN基板制備流程

  AIN多層陶瓷基板制備流程與傳統低溫共燒陶瓷工藝流程基本一致，由于材料體系和成分差別，與個別工藝略有不同。在實驗陶瓷材料采用厚度為0.13mm高純氮化鋁膜帶，通孔金屬漿料和印刷漿料均選擇高溫燒結鎢漿，一般AlN燒結需要在還原氣氛下進行；排膠和燒結是AlN多層陶瓷基板制備流程中的關鍵工序，影響著基板的翹曲、開裂等，直接決定了多層板的性能和質量。陶瓷基板表面共燒的鎢漿無法直接進行焊接、鍵合且極易氧化，需要在表層進行化鍍鎳鈀金進行后續裝配。

 2、AlN一體化封裝結構

 AlN多層陶瓷基板的一體化封裝主要由以下幾部分組成：AlN多層陶瓷基板，圍框和蓋板，具體結構如圖1所示。

 圍框一般采用焊接溫度較高的焊料與基板焊接，對于整體結構而言，圍框材質的熱膨脹系數需要與基板熱膨脹系數接近，以防在焊接時熱應力失配造成產品開裂。蓋板與圍框多采用平行縫焊的方式進行氣密封裝。

氮化鋁陶瓷基板一體化封裝工藝流程

      1.一體化封裝材料    2.圍框焊接及測試    3.氣密封焊及測試