隨著電子行業市場上發展，電子封裝基板主要是可分為高分子基板、金屬基板和陶瓷基板幾類。金屬基板及高分子基板是限于功率器件和導熱、耐熱、絕緣、強度及熱匹配性能等要求，而陶瓷材料具有熱導率高、耐熱性好、高絕緣、高強度和芯片材料的熱匹配等性能。也適合功率器件封裝基板，目前在半導體照明、激光機光通信、航空航天、汽車電子等領域上有著廣泛應用。那么這些主要的電子封裝上dpc陶瓷基板材料有哪些？

1. 氧化鋁dpc陶瓷基板

氧化鋁陶瓷呈現白色，氧化鋁陶瓷基片成型方法主要是軋膜法、流延法及凝膠注膜法等。氧化鋁陶瓷基板有著原料豐富、價格低廉、絕緣性高、耐熱沖擊、抗化學腐蝕及機械強度高等優點，也是綜合性能較好的陶瓷基片材料，占有著陶瓷基板材料總量的80%以上。

但是由于熱導率相對較低，熱膨脹系數較高，一般都是應用在汽車電子、半導體照明、電氣設備等領域上。

2. 氮化鋁dpc陶瓷基板

氮化鋁材料呈灰白色，其熱導率為氧化鋁dpc陶瓷基板的6~8倍，但熱膨脹系數只有其50%，此外還具有絕緣強度高、介電常數低、耐腐蝕性好等優勢。

但除了成本較高外，氮化鋁陶瓷基板綜合性能均優于氧化鋁陶瓷基板，是一種非常理想的電子封裝基板材料，尤其適用于導熱性能要求較高的領域。

3. 氮化硅dpc陶瓷基板

  氮化硅主要是硬度大、強度高、熱膨脹系數小、耐腐蝕性高。氮化硅陶瓷基板它的抗彎強度高、耐磨性好，也是綜合機械性能最好的陶瓷材料，同時也是熱膨脹系數最小，也被認為一種很有潛力的功率器件封裝基板材料。

  但是它的制備工藝復雜、成本較高、熱導率偏低，主要適合應用于強度要求較高但散熱要求不高的領域。

4. 碳化硅、氮化硼dpc陶瓷基板

  碳化硅、氮化硼也都是為陶瓷基板材料。碳化硅多晶體熱導率較低，材料介電常數為40，也是ALN陶瓷基板的4倍，限制了高頻應用。

  氮化硼材料具有著較好的綜合性能，但是作為基板材料，它沒有任何突出優點，并且價格非常昂貴。在半導體材料上熱膨脹系數也不匹配，目前仍處于研究狀態。

電子封裝dpc陶瓷基板的應用

1.激光器(LD)封裝

LD封裝須采用導熱性能好、熱膨脹系數匹配的dpc陶瓷基板。由于氮化鋁陶瓷具有熱導率高、熱膨脹系數低等優點，因此LD封裝普遍使用氮化鋁陶瓷基板。

2.發光二極管(LED)封裝

大功率LED封裝基板先后經歷了金屬支架、金屬基板和陶瓷基板。由于陶瓷基板具有高絕緣、高導熱和耐熱、低膨脹等特性，特別是采用垂直通孔技術的DPC陶瓷基板，可有效滿足倒裝共晶、COB(板上芯片封裝)、CSP(芯片尺寸封裝)等技術白光 LED 封裝需求。對于紫外LED模組，采用三維陶瓷基板，可滿足其高效散熱與氣密封裝需求。

3.熱電制冷器(TEC)封裝

熱電制冷片是一種常用的半導體制冷器件，由于熱電制冷效率與半導體粒子數量呈正相關，單位面積粒子數量越多，熱電制冷效率越高。DPC陶瓷基板精度高，可提高粒子布置密度，從而有效提高熱電制冷效率。

4.其他功率器件封裝

dpc陶瓷基板也同樣應用在很多其他功率或高溫器件封裝中。如聚焦光伏器件封裝，由于聚焦作用導致太陽光密度加，芯片溫度升高，必須采用陶瓷基板強化散熱。在微波射頻領域，為了降低損耗，需采用高頻特性良好的HTCC或 LTCC基板來提高速度。