先進陶瓷基板對精細線/空間圖案形成和大功率應用的需求推動了dpc（直接鍍銅）陶瓷基板技術的發展。與LTCC、HTCC、DBC陶瓷基板相比，DPC陶瓷基板還具有表面平整度和走線對準誤差更小的優勢，通過將Ag塞孔工藝更改為Cu填充孔工藝，DPC技術繼續向更高功率、微波應用和更低成本發展。

由于DPC陶瓷基板中通孔的尺寸和縱橫比特性，完全填充通孔以及表面電路配方極具挑戰性。這個完整的項目通過開發dpc陶瓷基板的制造工藝和材料來提出我們的解決方案，以克服無空洞通孔填充的挑戰。

此外，增加了差分蝕刻工藝以增強蝶形電鍍并控制表面電鍍厚度，為了達到鍍銅跡線和凸塊的表面平整度和面板水平均勻性的要求，為電鍍矯平機設計了一種新穎的分子結構。同時滿足了電路配方對表面鍍層厚度、表面平整度的要求，通過優化脈沖電鍍波形、有機添加劑和孔中的攪拌條件，采用了蝶形電鍍工藝來填充通孔。

電鍍陶瓷基板DPC具有很好的導熱/耐熱性好、圖形精度高、可垂直互連等技術優勢，廣泛應用于功率半導體器件封裝。在dpc陶瓷基板制備過程中，電鍍銅層厚度及其均勻性、表面粗糙度等對基板性能及器件封裝質量影響極大。對比分析了幾種研磨技術對dpc陶瓷基板性能的影響，實驗結果表明砂帶研磨效率高，但銅層表面粗糙度高，只適用于dpc陶瓷基板表面粗磨加工，數控研磨與陶瓷刷磨加工的銅層厚度均勻性好，表面粗糙度低，滿足光電器件倒裝共晶鍵合的要求（通常粗糙度小于0.3μm，厚度范圍較小）大于 30 微米）。對于表面粗糙度要求較高（小于0.1 μm）的DPC陶瓷基板，需要將粗磨和化學機械拋光（CMP）等研磨工藝相結合。