陶瓷板通常被稱為無機(jī)非金屬材料。可見，人們直接將陶瓷基板定位在金屬的反面。畢竟兩個(gè)的表現(xiàn)天差地別。但是兩者的優(yōu)勢(shì)太突出了，所以很多時(shí)候需要將陶瓷基板和金屬結(jié)合起來各顯神通，于是誕生了工藝陶瓷金屬化技術(shù)。

尤其是隨著5G時(shí)代的到來，半導(dǎo)體芯片的功率不斷提升。輕量化、高集成化的發(fā)展趨勢(shì)越來越明顯，散熱的重要性也越來越突出。這無疑對(duì)封裝散熱材料提出了更嚴(yán)格的要求，在電力電子元器件的封裝結(jié)構(gòu)中，封裝基板是上下連接、保持內(nèi)外電路連通的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，具有散熱、機(jī)械支撐等功能。陶瓷基板作為一種新型的電子散熱封裝材料，具有與芯片匹配的高導(dǎo)熱、絕緣、耐熱、強(qiáng)度、熱膨脹系數(shù)等諸多優(yōu)點(diǎn)。

電路中使用的陶瓷基板必須首先金屬化，應(yīng)在陶瓷表面上一層金屬膜。并使其導(dǎo)電，然后用金屬引線或其他金屬導(dǎo)電層焊接，連接并成為一體。陶瓷金屬密封工藝中最重要的一步是金屬化，其質(zhì)量影響最終的密封效果。

一、陶瓷與金屬焊接的難點(diǎn)

1、陶瓷的線膨脹系數(shù)小，而金屬的線膨脹系數(shù)比較大，造成接頭開裂。一般要處理好金屬中間層的熱應(yīng)力。

2、陶瓷本身導(dǎo)熱系數(shù)低，抗熱震性弱。焊接時(shí)，重要的是盡量降低溫度并控制焊接后的冷卻速度。

3、大多數(shù)陶瓷導(dǎo)電性差，甚至不導(dǎo)電很難使用電焊。

4、由于陶瓷材料多為共價(jià)晶體，不易變形，易發(fā)生脆性斷裂。目前多采用中間層降低焊接溫度，焊接采用間接擴(kuò)散法。

5、由于陶瓷材料具有穩(wěn)定的電子配位性，金屬與陶瓷之間的連接不太可能。需要金屬化陶瓷或活性焊接釬焊。

6、陶瓷與金屬焊接的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有別于普通焊接，通常分為平面密封結(jié)構(gòu)、套筒結(jié)構(gòu)、銷密封結(jié)構(gòu)、雙密封結(jié)構(gòu)。套筒結(jié)構(gòu)效果最好，這些接頭結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)要求非常高。

二、陶瓷金屬化的機(jī)理

陶瓷金屬化的機(jī)理比較復(fù)雜，涉及多種化學(xué)和物理反應(yīng)、物質(zhì)的塑性流動(dòng)和粒子重排。金屬化層中的氧化物和非金屬氧化物等各種物質(zhì)在不同的燒結(jié)階段會(huì)發(fā)生不同的化學(xué)反應(yīng)和物質(zhì)擴(kuò)散遷移。隨著溫度的升高，每種物質(zhì)都會(huì)發(fā)生反應(yīng)，形成一種中間化合物，當(dāng)它達(dá)到一個(gè)共同的熔點(diǎn)時(shí)，就會(huì)形成液相。液態(tài)玻璃相具有一定的粘度，同時(shí)產(chǎn)生塑性流動(dòng)。之后，顆粒在毛細(xì)管的作用下重新排列。在能量的驅(qū)動(dòng)下，原子或分子發(fā)生擴(kuò)散遷移，晶粒長(zhǎng)大，孔隙逐漸縮小消失，金屬化層致密化。

三、陶瓷金屬化工藝

1. 基材預(yù)處理；

2、金屬化漿料的制備；

3、涂布干燥；

4、熱處理；

四、陶瓷金屬化的具體方法

1、Mo-Mn 法；

2、活化 Mo-Mn 法；

3、活性金屬釬焊；

4、直接鍵合銅（DBC）；

5、磁控濺射；

五、陶瓷基板金屬化的影響因素

1、金屬化配方；

2、金屬化溫度和保持時(shí)間；

3、金屬化層的微觀結(jié)構(gòu)；

4、其他因素；