隨著國內外LED行業向高效率、高密度、大功率等方向發展，從2017到2022就可以看出，整體國內LED有了突飛猛進的進展。功率也是越來越大，開發性能優越的散熱材料已成為解決LED散熱問題的當務之急。為了使LED結溫保持在較低溫度下，必須采用高熱導率、低熱阻的散熱基板材料和合理的封裝工藝，以降低LED總體的封裝熱阻。那么影響氮化鋁陶瓷基板導熱系數的因素有哪些？

氮化鋁是一種人工合成礦物，并非天然存在于大自然中。AIN的晶體結構類型為六方釬鋅礦型，具有密度小(3.26g/cm3)、強度高、耐熱性好（約3060℃分解）、熱導率高、耐腐蝕等優點。AlN是一種強共價鍵化合物，其熱傳導機理是晶格振動（即聲子傳熱）。由于Al和N的原子序數小，從本性上決定了AlN具有很高的熱導率，其熱導率理論值可高達319W/m.K。但在實際產品中，由于AlN的晶體結構不可能完全均勻分布，并存在很多雜質和缺陷，使得其熱導率般只有170-230W/m.K。

氮化鋁陶瓷的主要特點：

1、導熱系數高，是氧化鋁陶瓷的5-10倍；

2、熱膨脹系數（4.3x10-6℃）與半導體硅材料（3.5-4.0x10-6℃）相匹配；

3、良好的機械性能；

4、優良的電氣性能，具有極高的絕緣電阻和低的介電損耗；

5、可進行多層布線，實現封裝的高密度化和小型化；

6、無毒、有利于環保；

影響氮化鋁陶瓷導熱系數的多種因素：

在300k時，氮化鋁單晶材料的理論導熱系數高達319W（m-k），但在實際生產過程中，由于材料的純度，內部存在缺陷（位錯、氣孔、雜質、晶格畸變）、晶粒 導熱系數還受取向、燒結工藝等多種因素的影響，往往低于理論值。